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详细参数

型号：BSS806N H6327

类别：FET - 单

制造商：Infineon Technologies

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

系列：OptiMOS™

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：57 毫欧 @ 2.3A，2.5V

Id时的Vgs333th444111最大222：750mV @ 11µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.7nC @ 2.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：529pF @ 10V

功率_最大：500mW

安装类型：表面贴装

封装__外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：PG-SOT23-3

包装：带卷 (TR)

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厂商：SIEMENS [ SIEMENS SEMICONDUCTOR GROUP ]

描述：SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

大小：81K

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