型号：BSS806N H6327
类别：FET - 单
制造商：Infineon Technologies
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：57 毫欧 @ 2.3A，2.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：750mV @ 11µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.7nC @ 2.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：529pF @ 10V
功率_最大：500mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：PG-SOT23-3
包装：带卷 (TR)
厂 商：SIEMENS [ SIEMENS SEMICONDUCTOR GROUP ]
描 述：SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
大 小：81K
