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详细参数
型号:BSS119 E6433
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
系列:SIPMOS®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 170mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.3V @ 50µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:78pF @ 25V
功率_最大:360mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:PG-SOT23-3
包装:带卷 (TR)
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厂 商:SIEMENS [ SIEMENS SEMICONDUCTOR GROUP ]
描 述:SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode)
大 小:142K
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