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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：BSS119 E6433
类别：FET - 单
制造商：Infineon Technologies
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
系列：SIPMOS®
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：170mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 170mA，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.3V @ 50µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V
功率_最大：360mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：PG-SOT23-3
包装：带卷 (TR)
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厂 商：SIEMENS [ SIEMENS SEMICONDUCTOR GROUP ]
描 述：SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
大 小：81K
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B43305A9827M62
BZX55C27V0
b30699-d5058-r046-w03
BTB06-1000SW
B0540WS7
BZX55C22VTAP
BA178M24FP-E2
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BA178M24FPE2
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