型号:BSP296E6327
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-261-4,TO-261AA
描述:MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
系列:SIPMOS®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:700 毫欧 @ 1.1A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.8V @ 400µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:17.2nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:364pF @ 25V
功率_最大:1.79W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:PG-SOT223-4
包装:带卷 (TR)
厂 商:PHILIPS [ PHILIPS SEMICONDUCTORS ]
描 述:N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
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