型号：BSO604NS2
类别：FET - 阵列
制造商：Infineon Technologies
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：MOSFET N-CHAN DUAL 55V DSO-8
系列：OptiMOS™
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 2.5A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2V @ 30µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：870pF @ 25V
功率_最大：2W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：P-DSO-8
包装：Digi-Reel®
厂 商：INFINEON [ INFINEON ]
描 述：OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET
大 小：342K
