型号:BSO303P
类别:FET - 阵列
制造商:Infineon Technologies
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET P-CHAN DUAL 30V DSO-8
系列:OptiMOS™
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 8.2A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:72.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1761pF @ 25V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:P-DSO-8
包装:带卷 (TR)
厂 商:INFINEON [ INFINEON ]
描 述:OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
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