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详细参数
型号:BSF134N10NJ3 G
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:3-WDSON
描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:13.4 毫欧 @ 30A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3.5V @ 40µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2300pF @ 50V
功率_最大:43W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:3-WDSON
供应商设备封装:MG-WDSON-2,CanPAK M?
包装:Digi-Reel®
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厂 商:INFINEON [ INFINEON ]
描 述:OptiMOS3 Power-MOSFET
大 小:304K
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