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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：BSC009NE2LS
类别：FET - 单
制造商：Infineon Technologies
封装：8-PowerTDFN
描述：MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：25V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：0.9 毫欧 @ 30A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：126nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：5800pF @ 12V
功率_最大：96W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-PowerTDFN
供应商设备封装：PG-TDSON-8
包装：带卷 (TR)
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厂 商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述：n-Channel Power MOSFET
大 小：1574K
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查询更多BSC080P03LS供应信息         发布时间：2025/5/21 8:35:00
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