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详细参数
型号:BSC018NE2LSI
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:8-PowerTDFN
描述:MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:25V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫欧 @ 30A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2500pF @ 12V
功率_最大:69W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-PowerTDFN
供应商设备封装:PG-TDSON-8
包装:Digi-Reel®
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厂 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:n-Channel Power MOSFET
大 小:1574K
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771¥/片,TDSON-8
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