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详细参数
型号:BFP640FE6327
类别:RF 晶体管 (BJT)
制造商:Infineon Technologies
封装:4-SMD,扁平引线
描述:TRANSISTOR NPN RF 4V TSFP-4
系列:-
晶体管类型:NPN
电压_集电极发射极击穿111最大222:4.5V
频率_转换:40GHz
噪声系数111dB典型值0a0频率222:0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
增益:23dB
功率_最大:200mW
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:110 @ 30mA,3V
电流_集电极333Ic444111最大222:50mA
安装类型:表面贴装
封装__外壳:4-SMD,扁平引线
供应商设备封装:4-TSFP
包装:带卷 (TR)
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厂 商:SIEMENS [ SIEMENS SEMICONDUCTOR GROUP ]
描 述:NPN Silicon RF Transistor (For power amplifier in DECT and PCN systems)
大 小:62K
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BFP640FH6327XT
Infineon
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查询更多BFP640FH6327XT供应信息         发布时间:2025/8/1 16:32:00

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