型号:APTM120U10DAG
类别:FET
制造商:Microsemi Power Products Group
封装:SP6
描述:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:1200V(1.2kV)
电流_连续漏极333Id4440a025000C:116A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 58A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:5V @ 20mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1100nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:28900pF @ 25V
功率_最大:3290W
安装类型:底座安装
封装__外壳:SP6
供应商设备封装:SP6
包装:散装
厂 商:MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
描 述:Single switch with Series diodes MOSFET Power Module
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