型号:APTGT30A170D1G
类别:IGBT
制造商:Microsemi Power Products Group
封装:D1
描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
系列:-
IGBT类型:沟道和场截止
配置:半桥
电压_集电极发射极击穿111最大222:1700V
VgewwwwIc时的最大Vce111开222:2.4V @ 15V,30A
电流_集电极333Ic444111最大222:45A
电流_集电极截止111最大222:3mA
Vce时的输入电容333Cies444:2.5nF @ 25V
功率_最大:210W
输入:标准
NTC热敏电阻:无
安装类型:底座安装
封装__外壳:D1
供应商设备封装:D1
厂 商:MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
描 述:ISOTOP SiC Diode Full Bridge Power Module
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