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详细参数
型号:APT5010B2FLLG
类别:FET - 单
制造商:Microsemi Power Products Group
封装:TO-247-3 变式
描述:MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
系列:POWER MOS 7®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:500V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:46A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 23A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:5V @ 2.5mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:95nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:4360pF @ 25V
功率_最大:520W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-247-3 变式
供应商设备封装:T-MAX? [B2]
包装:管件
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厂 商:MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
描 述:ISOTOP SiC Diode Full Bridge Power Module
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1: 提供大量的原装现货库存,国外现货5-7天到深圳 2: 为客户提供产品的配单、订购业务;并支持小批量订购. 3: 为客户助寻偏门.冷门.紧缺.军工级及停产器件, 德州仪器(TI ) 、飞利浦(Philips)、恩智浦半导体( NXP) 、海力士(Hynix) 、美国亚德诺半导(ADI) 、国际整流器(IR)、三星(Samsung)、美光(Micron ) 、现代电子(Hynix) 、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、仙童(Fairchid)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦(Agilent)、达拉斯(Dallas)、美信(Maxim)、赛普拉斯(CYPRESS) )、日立(Hitachi)、芯成(ISSI)、凌特(Linear)、美国逻辑(LSI)、微芯(Microchip)、三菱(Mitsubishi)、美国半导体(NS)、罗姆(Rohm)、安华高(AVAGO ) 、美国万代(AOS) 、 西伯斯(SIPEX) 、艾科嘉(EXAR) 、松下(Panasonic)、JRC、POWER 铁帽,连接器 精工(SEIKO )、ALTERA (阿尔特拉) 、赛灵思(Xilinx) 、英特尔(Intel) 、英赛尔(Intersil)、德国英飞凌(Infineon ) 、 圣何塞半导体 (Intersil )
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