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型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:APT50GP60JDQ2
类别:IGBT
制造商:Microsemi Power Products Group
封装:SOT-227-4,miniBLOC
描述:IGBT 600V 100A 329W SOT227
系列:POWER MOS 7®
IGBT类型:PT
配置:单一
电压_集电极发射极击穿111最大222:600V
VgewwwwIc时的最大Vce111开222:2.7V @ 15V,50A
电流_集电极333Ic444111最大222:100A
电流_集电极截止111最大222:525µA
Vce时的输入电容333Cies444:5.7nF @ 25V
功率_最大:329W
输入:标准
NTC热敏电阻:
安装类型:底座安装
封装__外壳:SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装:ISOTOP?
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厂 商:ADPOW [ Advanced Power Technology ]
描 述:POWER MOS 7 IGBT
大 小:458K
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APT50GP60JDQ2
Microsemi
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APT50GP60JDQ2
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APT50GP60JDQ2
microchip
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APT50GP60JDQ2
Microchip Technology
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现货,经销,配单。 我司优势:XILINX ISSI NXP ALTERA ON ST TI TOSHIBA DS LT RENESAS NEC SILICON MAXIM 等
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APT50GP60JDQ2
Microchip Technology
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全新原装现货,原厂代理。
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APT50GP60JDQ2
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