型号：AOP605
类别：FET - 阵列
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
封装：8-DIP（0.300"，7.62mm）
描述：MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP
系列：-
FET型：N 和 P 沟道
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.5A，6.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫欧 @ 7.5A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：820pF @ 15V
功率_最大：2.5W
安装类型：通孔
封装__外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商设备封装：8-PDIP
包装：带卷 (TR)
厂 商：AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
描 述：Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
大 小：159K
QQ：5645336 复制
