型号:AON5810
类别:FET - 阵列
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
封装:6-WFDFN 裸露焊盘
描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.7A DFN2X5
系列:-
FET型:2 N 沟道(双)共漏
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫欧 @ 7.7A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:13.1nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1360pF @ 10V
功率_最大:1.6W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-WFDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:6-DFN-EP(2x5)
包装:带卷 (TR)
厂 商:AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
描 述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
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