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详细参数
型号:AOI11S60
类别:FET - 单
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
封装:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
系列:aMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:600V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:399 毫欧 @ 3.8A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4.1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:545pF @ 100V
功率_最大:208W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装:*
包装:管件
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厂 商:AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
描 述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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深圳兴中扬电子科技有限公司
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