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详细参数
型号:AOD11S60
类别:FET - 单
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
系列:aMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:600V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:399 毫欧 @ 3.8A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4.1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:545pF @ 100V
功率_最大:208W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252,(D-Pak)
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
描 述:1.3A, 600V N-Channel MOSFET
大 小:155K
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