型号:5LN01C-TB-E
类别:FET - 单
制造商:ON Semiconductor
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
描述:MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:50V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:100mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:7.8 欧姆 @ 50mA,4V
Id时的Vgs333th444111最大222:-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.57nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:6.6pF @ 10V
功率_最大:250mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:3-CP
包装:带卷 (TR)
厂 商:SANYO [ Sanyo Semicon Device ]
描 述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
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