型号:2SK536-TB-E
类别:FET - 单
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
描述:MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:50V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:100mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:20 欧姆 @ 10mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:15pF @ 10V
功率_最大:200mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:3-CP
包装:带卷 (TR)
厂 商:HITACHI [ Hitachi Semiconductor ]
描 述:HIGH FREQUENCY POWER AMPLIFIER
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