型号：2SK536-TB-E
类别：FET - 单
制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
系列：-
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：50V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：100mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：20 欧姆 @ 10mA，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：-
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：15pF @ 10V
功率_最大：200mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：3-CP
包装：带卷 (TR)
厂 商：PANASONIC [ PANASONIC ]
描 述：For Impedance Conversion In Low Frequency
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