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详细参数
型号:2SK3017
类别:FET - 单
制造商:Toshiba
封装:TO-3P-3,SC-65-3
描述:MOSFET N-CH 900V 8.5A TO-3PN
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:900V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.25 欧姆 @ 4A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 25V
功率_最大:90W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装:TO-3P(N)IS
包装:管件
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厂 商:PANASONIC [ PANASONIC ]
描 述:For Impedance Conversion In Low Frequency
大 小:75K
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查询更多2SK360IGFTRF-E供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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