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详细参数
型号:2SK2606
类别:FET - 单
制造商:Toshiba
封装:TO-3P-3,SC-65-3
描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PN
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:800V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 4A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:68nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2160pF @ 25V
功率_最大:85W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装:TO-3P(N)IS
包装:管件
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厂 商:Toshiba [ TOSHIBA ]
描 述:N CHANNEL MOS TYPE (DC-DC CONVERTER, RELAY DRIVE AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS)
大 小:166K
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2SK2606
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2SK2606
TOSHIBA
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68723
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2SK2606
TOS
23+
18600
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2SK2606
TOSHIBA
23+
36200
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TOSHIBA/东芝
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34564
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