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详细参数

型号：2SJ516(F)

类别：FET - 单

制造商：Toshiba

封装：TO-220-3 整包

描述：MOSFET P-CH 250V 6.5A T-220NIS

系列：-

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：250V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 3A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：3.5V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：1120pF @ 10V

功率_最大：35W

安装类型：通孔

封装__外壳：TO-220-3 整包

供应商设备封装：TO-220NIS

包装：管件

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厂商：HITACHI [ Hitachi Semiconductor ]

描述：Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

大小：58K

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2SJ530L

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主营业务：经营业务:电阻,电容、二三极管，晶振，世界各名厂IC，模块，我们所销售产品涉及：Xilinx、 ALTERA（阿特拉）美国仿真器件（ADI）、Freescale(飞思卡尔）英特尔（Intel）、德州仪器（TI）、飞利浦（Philips）、海力士（Hynix）、ATMEL（爱特梅尔） STC单片机国际整流器（IR）、台湾硅成（ICSI）、三星（Samsung）、瑞萨（Renesas）、东芝（Toshiba）、意法（ST）、摩托罗拉（Motorola）、仙童（Fairchid）、美国美商半导体（AMD）、爱特梅尔（Atmel）、惠普（HP）、安捷伦（Agilent）、达拉斯（Dallas）、美信（Maxim）、纳斯达克（Altera）、赛普拉斯（CY）、日立（Hitachi）、Broadcom、哈利斯（Harrsi）、英赛尔（Intersil）、美国集成器件（IDT）、芯成（ISSI）、凌特（Linear）、美国LSI逻辑公司（LSI）、微芯（Microchip）、三菱（Mitsubishi）、美国国家半导体（NS）、日本冲电气（OKI）、Realtek、罗姆（Rohm）、三洋（Sanyo）、索尼（Sony）等…

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2SJ530L

HITACHI

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全新原装正品，大量现货库存，可以出样品，欢迎咨询洽谈

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2SJ530L

NEC

22+

35600

原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0755-23945755 QQ:3065848471

深圳市豪迈兴电子有限公司

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联系人：李小姐/陈先生/李先生【只售原装假一罚百】豪迈兴你值得信赖的供应商！

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RENESAS

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2SJ530L

HITACHI

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1900

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2SJ530L

RENESAS

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