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型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:2SJ200-Y(F)
类别:FET - 单
制造商:Toshiba
封装:TO-3P-3,SC-65-3
描述:MOSFET P-CH 180V 10A TO-3PN
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:180V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:-
Id时的Vgs333th444111最大222:-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 30V
功率_最大:120W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装:TO-3P(N)
包装:散装
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厂 商:HITACHI [ Hitachi Semiconductor ]
描 述:Silicon P-Channel MOS FET
大 小:48K
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