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详细参数
型号：2N7000
类别：FET - 单
制造商：Fairchild Semiconductor
封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
描述：MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
系列：-
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V
功率_最大：400mW
安装类型：通孔
封装__外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装：TO-92-3
包装：散装
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2N7002KDW_R1_00001 PDF下载
厂 商：UTC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
描 述：2 Amps, 700 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
大 小：264K
相关型号
2736133
220-06E16-55PN
2168X250
243OHM11
24394301485
260-510K-RC
2815962
254AM03
254552-002
2N6OS5
216WCA4ALA12FG
20-4071-21
20407121
232224184994VR25-499KF
2903MELLI699LM
2000A382-001
2-1907543-1
28O7D
200A682KC50X
2152-1-20-20320
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25+23+
40327
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