型号:2N7002ET1G
类别:FET - 单
制造商:ON Semiconductor
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
描述:MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:260mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2.5 欧姆 @ 240mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.81nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:26.7pF @ 25V
功率_最大:300mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
包装:Digi-Reel®
厂 商:ON [ ON SEMICONDUCTOR ]
描 述:Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Single, N−Channel, SOT−23
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