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详细参数

型号：2N7000

类别：FET - 单

制造商：Fairchild Semiconductor

封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体

描述：MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

系列：-

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：60V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V

功率_最大：400mW

安装类型：通孔

封装__外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体

供应商设备封装：TO-92-3

包装：散装

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厂商：CHENMKO [ Chenmko Enterprise Co. Ltd. ]

描述：N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

大小：590K

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