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数据表
复合场效应功率晶体管
PA1520B
N沟道功率MOS FET阵列
切换使用
描述
该
PA1520B是N沟道功率MOS FET阵列的
建于4电路设计的电磁阀，电机和灯
驱动程序。
26.8 MAX 。
10
包装尺寸
以毫米为单位
4.0
特点
4 V的驾驶可能
大电流和低导通状态电阻
I
D（ DC）的
=
±2.0
A
R
DS （ ON）
1
≤
0.17
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 1 A)
R
DS （ ON）
1
≤
0.25
MAX 。 （V
GS
= 4 V，I
D
= 1 A)
低输入电容西塞= 220 pF的典型。
2.54
1.4 0.6±0.1
1.4
0.5±0.1
订购信息
类型编号
包
10引脚SIP
3
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
接线图
5
7
9
PA1520BH
绝对最大额定值（T
A
= 25
°
C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
总功耗
总功耗
通道温度
储存温度
注意事项1 。
V
GS
= 0
3.
PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
3.
4电路，T
A
= 25
°C
V
DSS
注1
V
GSS
注2
ID
（DC）的
ID
（脉冲）
注3
P
T1
注4
P
T2
注5
T
CH
T
英镑
30
±20
±2.0
±8.0
28
3.5
150
-55到+150
V
V
A /单位
A /单位
W
W
°C
°C
2
1
4
6
8
10
电极连接
2，4， 6，8 ：门
3，第5 ，第7 ，第9 ：漏极
1, 10
资料来源：
2.
V
DS
= 0
4.
4电路，T
C
= 25
°C
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当
该设备实际使用，额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定
电压可以施加到该装置。
一号文件G10598EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期1995年P月
日本印刷
10分钟。
2.5
1995
PA1520B
电气特性（T
A
= 25
°
C)
特征
漏极漏电流
栅极漏电流
栅极截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| Y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
r
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
I
F
= 2.0 A，V
GS
= 0
I
F
= 2.0 A，V
GS
= 0 ，的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.0 A，V
DD
= 24 V
.
I
D
= 1.0 A，V
GS
= 10 V, V
DD
= 15 V,
.
R
L
= 15
测试条件
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1.0毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 1.0 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.0 A
V
GS
= 4.0 V，I
D
= 1.0 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0中，f = 1.0兆赫
1.0
1.0
0.10
0.13
220
220
90
27
125
590
500
14
2
5.5
1.0
640
3.4
0.17
0.25
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±10
2.0
单位
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
C
测试电路1
开关时间
D.U.T.
R
L
V
GS
V
GS
电波表
PG 。
R
G
R
G
= 10
0
I
D
10 %
V
GS （上）
90 %
V
DD
90 %
90 %
I
D
I
D
电波表
0
10 %
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
10 %
t
f
V
GS
0
t
t = 1
s
占空比
≤
1 %
测试电路2
栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
R
L
PG 。
50
V
DD
2
PA1520B
特性（T
A
= 25
°
C)
总功耗对比
环境温度
6
P
T
- 总功耗 - W
PA1520BH
总功耗对比
外壳温度
30
P
T
- 总功耗 - W
在同
耗散
每个电路
4电路操作
20
3电路工作
2电路工作
1电路工作
10
NEC
,,
,,
,
,
4
3
2
1
0
5
LAED
打印
电路
西非开发银行
在同
耗散
每个电路
4电路操作
3电路工作
2电路工作
1电路工作
50
100
150
T
C
是油脂
在背面温度
0
50
100
T
C
- 外壳温度 -
°C
150
T
A
- 环境温度 -
°C
正向偏置安全工作区
100
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
100
80
60
40
20
正向偏置的降额因子
安全工作区
I
D
- 漏电流 - 一个
10
t
IMI
)
L
(
ed
V
G
1
S
=
0V
)
I
D（脉冲）
50
m
PW
=
1
m
s
10
m
R
D
n
S（O
I
D（ DC）的
s
0
10
s
1
DC
m
s
0.1
0.1
T
C
= 25
°C
单脉冲
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120 140 160
V
DS -
漏源极电压 - V
T
C
- 外壳温度 -
°C
漏电流与
漏源极电压
10
V
GS
= 20 V
10 V
V
GS
= 4 V
6
脉冲
正向传递特性
100
脉冲
V
DS
= 10 V
I
D
- 漏电流 - 一个
6
8
I
D
- 漏电流 - 一个
10
1.0
T
A
= 125
°C
75
°C
25
°C
-25
°C
4
0.1
2
0
2
4
0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
GS-
门源电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
3
PA1520B
瞬态热阻与脉冲宽度
1 000单脉冲。
对于每一个电路
R
第（章-a）的
4Circuits
3Circuits
2Circuits
1Circuit
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
100
R
TH（ CH-C ）
10
1.0
0.1
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1 000
PW - 脉冲宽度 - 秒
正向转移导纳主场迎战
漏电流
y
fs
- 正向转移导纳 - S
100
V
DS
= 10 V
脉冲
T
A
= -25
°C
25
°C
75
°C
125
°C
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
300
脉冲
10
200
I
D
= 0.4 A
1A
2A
1.0
100
0.1
0.1
1.0
I
D
- 漏电流 - 一个
10
0
10
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
20
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
300
脉冲
2
门源截止电压主场迎战
通道温度
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
200
V
GS
= 4 V
1
100
V
GS
= 10 V
0
1.0
I
D
- 漏电流 - 一个
10
0
- 50
0
50
100
150
T
CH
- 通道温度 -
°C
4
PA1520B
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
200
V
GS
= 4 V
150
V
GS
=10 V
100
源极到漏极二极管
正向电压
脉冲
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
10
V
GS
= 10 V
1.0
V
GS
= 0
0.1
50
I
D
= 1 A
0
50
100
150
T
CH
- 通道温度 -
°C
电容与漏极TO
源极电压
1 000
0
- 50
0.01
0
0.5
1.0
1.5
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
开关特性
1 000
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
C
OSS
C
国际空间站
C
RSS
100
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
t
D（关闭）
t
f
100
t
r
t
D（上）
10
0.01
0.1
1.0
10
0.1
V
DD
15 V
V
GS
= 10 V
R
G
=10
10
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
反向恢复时间对比
漏电流
10 000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0
20
8
6
4
2
1000
10
V
DS
0
0
2
6
10
0
14
100
0.01
0.1
1.0
10
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
g -
栅极电荷 - 数控
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
动态输入/输出特性
30
12
I
D
= 2 A
V
GS
10
=
6
15
V
24
V
V
V
D
D
5
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    -
    -
    -
    -
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