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PF00105A
MOS FET功率放大器模块
为AMPS手持电话
ADE - 208-447C ( Z)
第4版
1998年2月
特点
低电压工作: 4.6 V
2级放大器: +8 dBm的输入
导致较少的小包装: 0.2毫升
高效率: 48 %典型值在1 W
低功耗控制电流: 500
A
典型值
管脚配置
RF -K
4
G
3
2
1 :引脚
2 : VAPC
3 : Vdd的
4 :噘
G: GND
G
1
G
G
绝对最大额定值
( TC = 25 ° C)
项
电源电压
电源电流
V
APC
电压
输入功率
工作温度
储存温度
输出功率
符号
V
DD
I
DD
V
APC
针
TC ( OP )
TSTG
噘
等级
10
1
4.5
20
-30到+100
-30到+100
2
单位
V
A
V
mW
°C
°C
W
PF00105A
电气特性
( TC = 25 ° C)
项
频带
排水截止电流
总有效率
二阶谐波失真
3次谐波失真
输入VSWR
输出功率
符号
f
I
DS
η
T
第二H.D.
第三H.D.
电压驻波比(上)
噘
民
824
—
45
—
—
—
1.0
典型值
—
—
48
–40
–40
1.5
1.1
最大
849
20
—
–30
–30
3.0
—
单位
兆赫
A
%
dBc的
dBc的
—
W
PIN = 8 dBm时, V
DD
= 4.6 V,
V
APC
= 3 V ,R
L
= RG = 50Ω ,
TC = 25°C
PIN = 8 dBm时, V
DD
= 4.6 V,
V
APC
= 0.1 V ,R
L
= RG = 50Ω ,
TC = 25°C
PIN = 8 dBm时, V
DD
= 4.3 6 V,
噘
≤
1.2瓦( APC控制) ,
RG = 50
,
TC = 25°C ,
输出VSWR = 3 : 1的所有阶段
PIN = 8 dBm时, V
DD
= 4.3 6 V,
噘
≤
1.2瓦( APC控制) ,
RG = 50
,
TC = 25°C ,
输出VSWR = 10 : 1所有阶段
测试条件
—
V
DD
= 7 V, V
APC
= 0 V
PIN = 8 dBm时, V
DD
= 4.6 V,
噘嘴= 1瓦( APC控制)
R
L
= RG = 50Ω , TC = 25℃
隔离
—
—
–20
+6
DBM
稳定性
—
无寄生
振荡
—
负载VSWR容差
—
无寄生
振荡
—
2
PF00105A
特性曲线
η
T
与锝
Pin=+7dBm
Vdd=4.6V
Pout=1W
55
824MHz
849MHz
60
η
T
(%)
50
45
40
50
0
TC ( ℃)
噘嘴主场迎战锝
50
100
1.6
Pin=+7dBm
Vdd=4.6V
1.5 VAPC = 2.9V
1.4
的Pout (1) (W)的
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
50
824MHz
849MHz
0
TC ( ℃)
50
100
3
PF00105A
噘嘴主场迎战针( 1 )
31.8
Vdd=4.6V
Vapc=2.9V
Tc=30°C
31.6
的Pout (1)( dBm的)
824MHz
836.5MHz
849MHz
31.4
31.2
31
4
6
PIN ( DBM)
噘嘴主场迎战针( 2 )
31.4
Vdd=4.6V
Vapc=2.9V
Tc=25°C
31.2
的Pout (1)( dBm的)
824MHz
836.5MHz
849MHz
8
10
31
30.8
30.6
4
6
PIN ( DBM)
8
10
4
PF00105A
噘与销(3 )
31
Vdd=4.6V
Vapc=2.9V
Tc=60°C
30.8
的Pout (1)( dBm的)
824MHz
836.5MHz
849MHz
30.6
30.4
30.2
4
6
PIN ( DBM)
标识与VAPC (1)
700
Pin=+7dBm
Vdd=4.6V
600 =锝-30℃
824MHz
836.5MHz
500
849MHz
ID (MA )
400
300
200
100
0
0
0.5
1
1.5
2 2.5 3
VAPC ( V)
2.5
4
4.5
5
8
10
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