LTC4370
电气特性
符号
I
FETON
ΔV
门（ON）的
参数
FETON1 ， FETON2漏电流
MOSFET在检测阈值
（ GATE - V
IN
)
条件
在12V
FETON转变为高
l
l
民
0.28
典型值
0
0.7
最大
±1
1.1
单位
A
V
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
所有电流为器件引脚为正;所有电流输出装置的
引脚是负的。所有电压参考GND除非另有
指定的。
注3 ：
内部卡件限制在GATE和CPO引脚到最小10V的
以上，以及在对应的V低于二极管
IN
引脚。驱动这些引脚
超过钳位电压可能会损坏设备。
典型性能特性
除非另有说明。
V
IN
电流与电压
其它V
IN
= 0V
T
A
= 25 ° C，V
IN1
= V
IN2
= 12V ， OUT = V
IN
, V
CC
开放的，
3
2.5
2
I
IN
（MA ）
300
250
200
150
V
IN
电流与电压同
外部V
CC
V
CC
= 6V
其它V
IN
= 0V
2.5
V
CC
电流与电压
双方V
IN
= 0V
2
1
0.5
0
–0.5
0
3
6
9
V
IN
(V)
12
15
18
4370 G01
50
0
I
CC
（MA ）
0
1
2
3
V
IN
(V)
4
5
6
4370 G02
I
IN
(A)
1.5
100
1.5
1
其它V
IN
= 12V
–50
–100
–150
0.5
0
0
1
2
3
V
CC
(V)
4
5
6
4370 G03
输出电流与电压
300
250
200
30
25
20
15
10
5
0
最小正向调控
电压Vs V
IN
电压
外部V
CC
V
帧中继（MIN）
（毫伏）
I
OUT
(A)
150
100
50
0
–50
0
3
6
9
V
OUT
(V)
12
15
18
4370 G04
V
CC
= 3.3V
V
CC
= 5V
0
1
2
V
IN
(V)
3
4
5
4370 G05
4370f
4
