LTC4365
应用信息
电阻值就可以解决：
1. R1+ R2
=
3mV
=
300k
10nA
检测到一个内部交换机连接的门
外部背到背N沟道MOSFET的负面
略去输入电源。
如图6中所示，外部背到背N沟道
MOSFET是需要逆向供应保障。当
V
IN
变为负时，倒V
IN
比较关闭
内部开关，从而连接的栅极
外部MOSFET，以负V
IN
电压。身体
二极管（D1）的M1导通，但身体二极管M2的（D2）的
保持反向阻断模式。这意味着该
M1和M2的公共源极连接保持约
比V高出一个二极管压降
IN
。自的栅极电压
M2被短路到V
IN
，M2将被关断和没有电流
租金可以从V流
IN
负载在V
OUT
。需要注意的是
M2的额定电压必须承受反向电压
游在V
IN
.
图7示出了导致当V的波形
IN
被热插入到-20V 。 V
IN
， GATE和V
OUT
开始时，在
地面建立连接之前。由于该
在V的寄生电感
IN
与门连接，所述
电压在V
IN
和GATE引脚响显著低于
-20V 。因此，一个40V N沟道MOSFET被选择
到过冲生存。
的LTC4365反向保护电路的速度是
由GATE引脚如何紧跟V明显
IN
中
负瞬变。两个波形几乎
难以区别上显示的刻度。
V
OUT
2. R3
=
2
3mV
(3.5V – 0.5V)
=1.8M
10nA
最接近的1 ％值： R3 = 1.82M ：
3. R1
=
300k
+1.82M
=
58.9k
2 18V
最接近的1 ％值： R1 = 59K ：
R2 = 300K - 59K = 241K
最接近的1 ％值： R2 = 243K
因此： OV = 17.93V ，UV = 3.51V 。
倒V
IN
保护
该LTC4365的坚固耐用和可热插拔V
IN
输入帮助
保护更敏感电路的输出负载。如果
输入电源是否插反了，或负
供应不经意间连接时， LTC4365可防止
从传递到输出负载这个负电压。
该LTC4365采用了一种新的，高速反转支持
层的电压监视器。当负V
IN
电压
D1
D2
GND
V
IN
= –40V
M1
M2
+
加载
C
OUT
5V/DIV
V
IN
门
V
OUT
LTC4365
–20V
门
V
IN
倒V
IN
比较
+
GND
–
闭合开关
当V
IN
为负值
4365 F06
500ns/DIV
4365 F07
图7.热插拔V
IN
至-20V
图6.倒V
IN
保护电路
4365f
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