LTC4359
应用信息
LTC4359
SHDN
开启关闭
VN2222LL
V
SS
4359 F03a
输入短路故障
活性，理想二极管入射的动态行为
反向偏压最准确特征在于延迟
随后一段反向恢复。在延时
相一些反向电流建立起来的，受寄生
电阻和电感。在反向恢复
阶段，将存储在寄生电感能量是反式
ferred到电路中的其它元件。目前摆率
在反向恢复可能达到100A / μs或更高。
再加上寄生电感高转换率
串联在输入和输出路径可能导致电位
tially破坏性瞬态出现在IN， SOURCE
在LTC4359的过程中反向恢复和OUT引脚。
在输入一个零阻抗直接短路电路
和地面是特别麻烦的，因为它允许
尽可能高的反向电流，以在建立
延迟期。当MOSFET终于整流
反向电流的LTC4359 IN和源极引脚
经历了负电压尖峰，而OUT引脚
尖峰的正方向。
为了防止条件下的LTC4359损害
输入短路，保护IN ，来源和OUT
标签，如图4 。 IN和源极引脚
通过夹紧在V保护
SS
脚有两个TransZorbs
或电视。输入电压24V和更大， D4需要
输入短路时保护MOSFET的栅氧化层
电路的条件。负尖峰时，MOSFET后可见
输入时关闭短，由D2 ，一个24V的钳位
TVS 。 D2允许反向输入至24V ，同时保持
MOSFET关断，如果不需要的反向输入保护
输出寄生
电感
+
–
1k
图3a。
SHDN
控制
48V
240k
100k
IN
2N5401
LTC4359
OFF ON
2N5551
240k
100k
SHDN
V
SS
4359 F03B
1k
图3b 。晶体管
SHDN
控制
48V
开启关闭
2k
1M
SHDN
MOC
207M
2M
IN
LTC4359
V
SS
4359 F03c
1k
图3c 。光隔离器
SHDN
控制
V
IN
输入寄生
电感
+
–
输入
短
反向恢复电流
Q1
FDMS86101
D4
DDZ9699T
12V
OUT
V
OUT
C
负载
D1
SMAT70A
70V
IN SOURCE
门
SHDN
D2
LTC4359
SMAJ24A
V
SS
24V
R1
1k
C
OUT
≥1.5F
4359 F04
图4.反向恢复主要生产感应尖峰IN ，来源和OUT引脚。
步骤恢复的极性显示在整个寄生电感
4359f
9
