LTC4353
应用信息
MOSFET选择
该LTC4353驱动N沟道MOSFET，以进行
负载电流。 MOSFET的重要特征是
它的最大漏源电压BV
DSS
，最大栅极
源电压V
GS （ MAX）
和导通电阻R
DS （ ON）
.
如果一个输入端被连接到地，所述全供电电压
可以出现在整个MOSFET 。生存之本，在BV
DSS
必须比电源电压更高。在V
GS （ MAX）
MOSFET的额定值不能超过14V ，因为这是
内部栅极至V的上限
IN
钳。该
R
DS （ ON）
MOSFET的规定的最大电压降
(I
L
R
DS （ ON）
）和功率耗散（我
L2
R
DS （ ON）
)
在MOSFET 。需要注意的是，最低的MOSFET的电压
降由伺服放大器调节控制电压
年龄，因此，选择一个非常低R
DS （ ON）
（低于V
FR
/I
L
）可
不是有益的。
CPO电容的选择
在CPO之间的电容的推荐值
和V
IN
销是约10×的输入电容
C
国际空间站
的场效应晶体管。较大的电容需要一个相应
响应而更长的时间来通过内部充电
电荷泵。更小的电容遭受更多的电压
快速门下降时开启的事件，因为它负责共享
与MOSFET的栅极电容。
V
INA
3.3V
C1
56nF
外部CPO供应
内部电荷泵采用毫秒充电
了CPO电容器特别是在器件上电。
这个时间可以通过连接一个外部可缩短
供应到CPO引脚。串联电阻是需要限制
目前进入CPO和V之间的内部钳位
IN
销。该棕榈油供给也应比更高
主输入电源，以满足栅极驱动要求
的场效应晶体管。图3示出了这样一个3.3V的理想二极管
应用程序，其中一个12V电源被连接到CPO
通过一个1K的电阻引脚。 1K的限制，目前进入
在CPO销，当在V
IN
引脚接地。对于8.7V
栅极驱动（ 12V - 3.3V ） ，逻辑电平MOSFET将是一个
对于M1和M2合适的选择。
输入瞬态保护
当电容在输入端和输出端都非常
在目前的小型，快速变化会引起瞬变
超过24V绝对最大额定值的第五
IN
和
OUT引脚。在或门应用一浪涌抑制器
从OUT连接到接地夹的所有投入。在
没有一个浪涌抑制器，输出电容
10μF的是在大多数应用中，以防止萨夫音响cient
瞬时不超过24V 。
M1
1k
12V
1k
V
IN1
CPO1
GATE1
LTC4353
CPO2
V
IN2
C2
56nF
GATE2
V
INB
3.3V
M2
4353 F03
图3. 3.3V理想二极管与外接12V电源
供电棕榈油更快的启动和刷新
4353f
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