LTC4253/LTC4253A
应用信息
计算过程中的最大软启动电容值
软启动负载短路是由非线性复杂
MOSFET的SOA特性和R用
SS
C
SS
反应。
一个overconservative但简单的方法开始于
最大断路器的电流，由下式给出：
V
CB（ MAX）的
I
CB（ MAX）的
=
(14)
R
S
其中，V
CB（ MAX）的
为60mV的（ 55mV的LTC4253A ） 。
从未来的MOSFET的SOA曲线，确定
在允许的时间t
SOA （MAX）
. C
SS
由下式给出：
t
SOA （MAX）
C
SS
=
对于LTC4253
0.916 R
SS
(15)
t
SOA （MAX）
C
SS
=
为LTC4253A
2.48 R
SS
在上面的例子中，为60mV / 40MΩ给出1.5A 。吨
SOA
为
.
该IRF530S为40ms 。从等式（ 15 ），C
SS
= 437nF
实际电路板的评估显示，
SS
= 100nF的是AP-
propriate 。的比（R
SS
C
SS
），以吨
CL （ CHARGE ）
是一个好的
轨距为大比率可导致超时周期
即将到期的提前。此计是凭经验确定
与板级评估。
设计流程的概述
总结了设计流程，可以考虑应用
在图3中为LTC4253A所示。它被设计为
.
80W和C
L
=100μF
计算最大负载电流： 80W / 43V = 1.86A ;
允许83％的转换效率，我
IN （MAX）
= 2.2A.
计算R
S
：从等式（ 8）读
S
= 20mΩ.
我计算
短路（ MAX ）
：从等式（10 ）
I
短路（MAX）中
= 3.3A.
选择一个MOSFET ，可在71V 3.3A处理： IRF530S 。
.
计算
T
：从等式（ 13 ）C
T
= 302nF选择
,
C
T
= 680nF这使断路器超时
周期T
最大
= 5.9ms 。
咨询MOSFET SOA曲线：在IRF530S可处理3.3A
以100V为8.3ms的，所以它是安全的在本申请中使用。
计算
SS
：使用等式（14）和（15）中选择
.
C
SS
=33nF
频率补偿
该LTC4253典型的频率补偿网络
为模拟电流限制回路是R系列
C
(10Ω)
和C
C
从连接门V
EE
。图6示出了
补偿电容C的关系
C
和
该MOSFET的C语言
国际空间站
。图6中的线用于选择
对于C起始值
C
基于MOSFET的C语言
国际空间站
规范。对于C优化值
C
显示为sev-
ERAL流行的MOSFET 。在最佳值的差异
的C
C
相对于初始值是小的。不过，
补偿值应该由板级验证
短路测试。
如，如图5所示，在短路事件的发生，
输入电源电压可以显着响，由于系列
电感。如果这个电压雪崩MOSFET ，电流
继续流过MOSFET的输出。该
模拟电流限制环路无法控制该电流流
因此，在循环下冲。此效果不能被
通过频率补偿消除。齐纳二极管
用镊子将输入的电源电压和防止需要
MOSFET雪崩。
60
补偿电容C
C
（ NF）
50
40
30
20
10
0
IRF540
IRF530
IRF740
NTY100N10
IRF3710
0
2000
6000
4000
MOSFET
国际空间站
（PF ）
8000
4253 F06
图6.推荐赔偿
电容C
C
VS MOSFET
国际空间站
对于LTC4253
425353afe
21
