LTC4222
应用信息
配置GPIO引脚
表3描述的GPIO引脚的状态可能使用
控制寄存器的位6和7上电时，默认
状态是一个GPIO引脚变为高阻态时，功率为
好（ FB引脚大于1.235V ） 。对于其他应用程序
GPIO引脚是拉下来的时候电源是好的，一般的
目的输出和通用输入。
该GPIO引脚的电源好一个简单的应用程序
CON组fi guration是将其连接到其他的UV引脚
通道与CONFIG引脚为高电平。这将导致
第二信道被接通的网络连接第一个信道具有后
启动和信号电源良好。
限流的稳定性
对于许多应用的LTC4222电流限制会
稳定的，没有附加的组件。不过，也有
一定的条件下，其中附加组分可以是
以提高稳定性需要的。该电流的主极点
租金限制电路是由电容和电阻在设置
外部MOSFET的栅极，和更大的门电容
tance使电流限制回路更稳定。平时
共8NF门源电容苏夫网络cient的
稳定性，并且通常由固有的MOSFET 提供
GS
,
然而环路的稳定性是通过增加降解
R
SENSE
或者通过减小电阻器的尺寸上的栅的RC
网络如果使用，这可能需要额外的栅
到源极电容。板级短路测试
强烈推荐电路板布局也可影响
瞬态性能，用于稳定性测试的最坏情况下的
条件限流稳定时会出现输出
后的正常启动与接地短路。
有两种可能的寄生振荡时
MOSFET的斜坡时，作为一个源极跟随器
在上电时或在电流限制。的第一个科幻类型
振荡发生在高频率下，通常高于
1MHz的。这个高频振荡容易衰减
用R5如图1所示。在一些应用中，人们
可能科幻十二次，R5都有助于短路瞬态恢复
为好。但是，过大的R5值将放缓
的关断时间。推荐的R 5的范围是
5Ω和500Ω 。
第二类型的源极跟随器的振荡发生在
由于负载200kHz至800kHz的频率之间
0.2μF和9μF的存在之间的电容是
,
R 5的阻力，由于没有漏极旁路电容，
总线布线电感和总线电源组合
输出阻抗。为了防止这种第二类型的振荡
避免负载电容10μF下方交叉连接的
,
从MOSFET的栅极接地用外部电容器
一个值大于1.5nF更大
.
供应瞬变
该LTC4222是专为度过电源瞬变
所造成的负载阶跃。如果有一个短路负载和
寄生电感回供给大于
0.5μH ，有机会的供给之前崩盘
有源电流限制电路，并降低了GATE引脚。
如果发生这种情况，欠压监视拉，对应
应的GATE引脚为低电平。欠压锁定电路
有V后2μs的滤波器时间
DD
低于2.35V 。紫外线
脚反应在2μs的时间关上了门关闭，但它是中建议
谁料增加一个滤波电容，C
F
，以防止不必要的
关闭引起的一过性。最终，无论是紫外线
引脚或欠压闭锁响应带来的电流
在控制之前的供应完全崩溃。
供应瞬态保护
该LTC4222是安全不受损害的电源电压上升
到35V 。然而，尖峰以上35V可能损坏部件。
在短路条件下，大的电流变化
佛罗里达州通过电源走线，由于可能导致电感
略去尖峰电压超出35V 。为了尽量减少这种
尖峰，电源走线电感应尽量减少
通过使用更广泛的痕迹或较厚的铜膜。另外，一个
缓冲电路衰减感应电压尖峰。建
缓冲使用串联一个0.1μF一个100Ω的电阻
V之间的电容
DD
和GND 。浪涌抑制器， Z1
在图1中，在输入端也能够防止损坏
电压浪涌。
设计实例
作为一个设计实例，采取以下特定网络阳离子
通道1 ： V
IN
= 12V，我
最大
= 5A ，我
侵入
= 1A ， di / dt的
侵入
,
= 10A / MS ，C
L
= 330μF V
UV（ RISING ）
= 10.75V, V
OV （下降）
= 14.0V, V
PWRGD （ UP ）
= 11.6V ，而我
2
C类地址= 1000111 。
此完成的设计示于图1 。
4222fb
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