LTC4222
应用信息
选择检测电阻，R的
S
，由过流设定
为50mV的阈值：
R
S
=
50mV
=
0.01Ω
I
最大
浪涌的di / dt被设置为使用C 10A / MS
SS
:
C
SS
=
I
SS
1
0.0429
A
R
SENSE
DL / DT
s
在MOSFET的尺寸设置成处理的功率耗散能很好地协同
荷兰国际集团浪涌时，输出电容C
OUT
正在充电。
一种方法来冲击过程中确定的功耗
是基于以下原则：
能在C中
L
=能源Q1
这将使用：
能在C中
L
=
1
1
CV
2
=
(0.33mF)(12)
2
2
2
=
10A 0.0429 1
=
4.3nF选择4.7nF
10000 0.01Ω
对于4毫秒的有2倍的安全边际的启动时间，我们
选择：
2 t
启动
+C
SS
2
12.3ms/F
8ms
+
4.7nF 2
=
0.68F
C
定时器
=
12.3ms/F
C
定时器
=
注意C的最小值
定时器
为10nF的
.
UV和OV电阻串的值所用的解决
下面的方法。根据我的第一选择R3
STRING
存在
1.235V / R3处的OV阈值的上升边缘。然后
解决下面的等式：
R2
=
V
OV （OFF）的
V
紫外线（ON）的
R3
UV
TH （ RISING ）
OV
TH （下降）
–R3 –R2
–R3
或0.024焦耳。计算出它需要充电的时候
C
OUT
:
t
启动
=
C
L
V
DD
I
侵入
0.33mF 12V
=
=
4ms
I
侵入
1A
消耗在MOSFET功率：
能在C中
L
P
DISS
=
=
6W
t
启动
在SOA （安全工作区）候选MOSFET的曲线
必须进行评估，以确保所述的热容量
包容忍6W的4毫秒。的的SOA曲线
飞兆半导体FDC653N为2A ，在12V （ 24W ） ，持续时间10ms ，
满足这一要求。由于FDC653N少
比8NF栅极电容和我们使用的是GATE
RC网络的电流限制，短路稳定性
应检查和改进，加入一个电容器
从门，如果需要源代码。
浪涌电流通过C1设定为1A ：
C我
C1=
l门
I
侵入
0.33mF 12μA
C1=
或C1 = 3.9nF
1A
R1=
V
紫外线（ON）的
(R3+R2)
UV
TH （ RISING ）
在我们的例子中，我们选择R3为3.4K给予电阻
串电流低于100μA 。
然后求解方程的结果R2 = 1.16k和
R1 = 34.6k 。
在FB分频器由拾取R8和求解R 7解决，
选择3.57k的R8 ，我们得到：
R7
=
V
PWRGD （ UP ）
R8
FB
TH （ RISING ）
–R8
导致R7 = 30K
一个0.1μF的电容，C
F
被放置在紫外销，以防止
从供给通过UV或OV关闭门毛刺。
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