LTC4266
应用信息
四种常用的1Ω电阻器（ 0402或更大
包大小）可以用于并联代替一个单一的
0.25Ω电阻。为了满足我
切
我
LIM
准确性
由IEEE规范，检测电阻要求
应该有± 1 ％的容差或更好，而且不超过
± 200ppm的/ ° C的温度系数。
输出电容
每个端口都需要在其输出一个0.22pF帽，使
在启动时电流限制的LTC4266稳定，而
或过载。常见的陶瓷电容器通常具有显
着的电压系数;这意味着电容
减小所施加的电压的增加。为了最大限度地减少
此问题， X7R陶瓷电容器的额定电流至少
100V建议。
ESD /电缆放电保护
以太网端口会受到显著ESD事件
时长数据线，每个可能被控以thou-
伏砂，被插入的低阻抗
RJ45插孔。为了防止损坏，每个端口需要
一对钳位二极管;一到AGND和一个V
EE
（图
10）。一个额外的浪涌抑制器必须为每个
从V LTC4266芯片
EE
到AGND 。二极管的港口
引导有害浪涌进入电源轨，他们在哪里
由浪涌抑制器和V吸收
EE
绕行
电容。浪涌抑制器具有附加
保护LTC4266从瞬变的好处
V
EE
供应量。
S1B二极管工作以及端口钳位二极管，和一个
SMAJ58A或等效建议对于V
EE
浪涌
抑制器。
布局指南
标准电源设计指南适用于LTC4266 ：
对于放置在V的去耦电容
DD
和V
EE
耗材
附近各自的电源引脚，使用地平面，并
使用宽的走线哪里有显著的电流。
主要布局的挑战涉及的安排
电流检测电阻器，其连接
的LTC4266 。因为检测电阻值非常
低，布局寄生可引起显著的错误。护理
达到规定的精度，特别是需要
断开电流。
图19示出的问题。在对所述实施例
离开后，两个端口具有负载电流I
1
我
2
这回
在V
EE
通过相互的电阻R供电
M
.
R
M
表示任何痕迹的组合电阻，
架，并且在PCB中的过孔，我
1
我
2
分享，因为他们
返回至V
EE
供应量。该LTC4266测量电压
其SENSE和V之间的年龄差异
EE
针感测
R两端的电压降
S1
的，但作为示例示出，
R
M
引入错误。
右侧的示例显示的错误怎么能
最小化具有良好的布局。该电路被重新排列
SO是R
M
不再影响V
S
，和V
EE
连接
到LTC4266用作开尔文检测跟踪。 V
EE
不
I
1
I
2
LTC4266
门
SENSE
+
V
S
V
EE
–
I
EE
R
K
I
1
I
2
LTC4266
门
SENSE
+
V
S
V
EE
–
I
EE
R
M
I
1
+ I
2
+ I
EE
R
S1
R
S2
R
S1
R
S2
R
M
互电阻
V
S
= I
1
R
S1
+ I
1
R
M
+ I
2
R
M
开尔文检测线
I
1
+ I
2
+ I
EE
V
S
= I
1
R
S1
– I
EE
R
K
信号
小胶印机错误
4266 F19
信号
刻度误差
串扰错误
图19.布局影响电流回读准确度
4266fb
25
