LTC4251/LTC4251-1/
LTC4251-2
应用信息
SENSE
SENSE引脚是由断路器监控（ CB ）
比较器，将模拟电流限制（ACL）的放大器，以及
快速电流限制（ FCL）比较。每个这些
三项措施相对于V SENSE的潜力
EE
。如果
SENSE超过50mV时， CB比较激活
230μA定时器上拉。在100mV的，在ACL伺服放大器
MOSFET的电流，并在200mV的整箱compara-
器突然拉动门低，企图使
控制MOSFET的电流。如果任何这些条件
持续足够长的时间定时器充电
T
至4V （见
等式（2） ），则LTC4251 / LTC4251-1 / LTC4251-2锁存
关闭，拉闸门低。
如果SENSE引脚遇到超过100mV的电压越大，
ACL的放大器将企图伺服门向下
来控制MOSFET的电流。由于GATE过度驱动
MOSFET在正常操作中，ACL放大器需要时间
到门排出到MOSFET的阈值。对于
轻度过载时， ACL放大器可以控制MOSFET
电流，但在严重的情况下过载电流
可能过冲。在SENSE = 200mV的，整箱比较
接管，快速放电GATE引脚附近V
EE
势。整箱然后释放，而ACL放大器需要
过。所有的定时器运行的时间。整箱的效果是
添加到有利于控制环中的非线性响应
对降低MOSFET的电流。
由于电感效应的系统，整箱通常
overcorrects限流回路和栅极下冲。
中环（电阻R零
C
在与栅极串联
电容），有助于ACL放大器恢复。
短路操作
从负载侧低阻抗所引起的电路特性
短示于图4。最初，电流过冲
V的模拟电流限制水平
SENSE
= 100mV的（曲线2 ）
作为GATE引脚工作带来V
GS
控制（跟踪3 ） 。
过冲毛刺在负背板
方向，并且当电流降低至100mV / R
S
背板响应由毛刺在正
方向。
定时器开始充电
T
（迹线4 ），而
模拟电流限制环路保持故障电流
100mV/R
S
，在这种情况下为5A （轨迹2）。注意
背板电压（线1 ）根据负载突降。当C
T
达到4V ，门关闭时，负载电流下降到零
和背板戒指最多不超过100V 。正峰值
通常是由雪崩击穿的MOSFET的限制，
并且可以通过添加一个瞬态电压被进一步限定
抑制整个投入 - 48V至-48RTN等
作为二极管公司SMAT70A 。
上一张卡的低阻抗短期可能影响
其他人共享同一个背板的行为。最初的
毛刺和如在图4中可见背板凹陷，迹线1 ，可以
抢电荷在相邻的卡输出电容。当
有故障的卡关闭时，电流流在刷新
电容器。如果LTC4251 ， LTC4251-1和LTC4251-2s使用
境，它们通过限制浪涌电流响应
为100mV / R的值
S
。如果C
T
的尺寸正确，电容器
会前C长时间充电
T
超时。
供给环
超欠
当前
冲
输出发病
短路
供给环
由于
MOSFET
打开-O FF
–48RTN
50V/DIV
迹线1
SENSE
200mV/DIV
门
10V/DIV
快速电流
极限
类似物
电流限制
TRACE 2
跟踪3
闭锁
5V/DIV
定时器
跟踪4
C
定时器
坡道
2ms/DIV
425112 F04
图4.输出短路特性
（所有的波形都参考V
EE)
MOSFET选择
外部MOSFET开关必须有足够的安全
工作区（SOA ）的负载电容进行充电的
启动和处理短路情况下，直到定时器
闭锁。这些方面的考虑优先于DC
电流额定值。有足够的SOA中的MOSFET为给定的
应用程序总是可以处理所需的电流，但
相反，不能说。查阅制造商的
MOSFET数据表的安全工作区，有效
瞬态热阻抗曲线。
425112fc
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