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LTC4217
应用信息
12V
R3
140k
UV
R1
224k
R2
20k
R4
20k
PG
I
SET
R
SET
20k
定时器
C
T
0.1μF
INTV
CC
C1
0.1μF
GND
I
MON
R
MON
20k
4217 F01
V
DD
OUT
R5
150k
FB
门
R
门
1k
R6
20k
12V
R7
10k
LTC4217FE
+
V
OUT
12V
0.8A
C
L
330μF
从该曲线图明显的是，在12V的功率耗散，
300毫安为40ms的是在安全区。
增加一个电容器和一个门1K串联电阻
到地会降低默认下面浪涌电流
值的软启动电路设置。栅极充电
具有24μA电流源（当启动电路是
没有驱动GATE ） 。 GATE引脚的电压上升
用斜率等于24μA /℃
门
和供给浪涌
电流设定为：
I
侵入
=
C
L
C
门
24A
FLT
OV
C
门
0.1μF
ADC
图1. 0.8A ， 12V居民卡应用
上电复位脉冲之后， LTC4217将经过
下面的序列。首先， UV和OV引脚必须
指示该输入电压在可接受的范围之内。
所有这些条件必须是SATIS科幻版的持续时间
为100ms ，以确保在任何接触反弹
插入已经结束。
该MOSFET由在GATE充电了一个导通
电荷泵产生的电流源，其值是AD-
通过分流的上拉电流到地的一部分justed 。
充电电流由启动电路控制
维持GATE电压随时间变化的恒定的斜率
（图2） 。 GATE引脚的电压上升的斜率
0.3V / ms到电源的浪涌电流被设定为：
I
侵入
= C
L
（ 0.3V / MS ）
此栅极斜坡被设计为一个1000μF充电钙
pacitor至12V的40毫秒，与为300mA的浪涌电流。
这允许留下的电流浪涌电流
极限阈值（ 500mA）请电容器小于1000μF
.
包括在典型性能特性部分
为安全工作区为MOSFET的图表。这是
V
DD
+ 6.15
斜率= 0.3V / ms的
V
DD
OUT
门
当门电压达到MOSFET的阈值
电压，开关开始导通，并在输出电压
岁以下的栅极电压，因为它增加。一旦出
达到V
DD
时， GATE将会有大幅增长，直到被夹住
6.15V稳压GATE和OUT之间。
作为OUT电压上升，所以将FB引脚是MONI-
toring它。当FB引脚穿过它的1.235V阈值，并
大门口OUT电压超过4.2V时， PG引脚将停止
拉低，表明该电源是好的。
MOSFET的寄生振荡
当N沟道MOSFET的斜坡上升的输出能很好地协同
荷兰国际集团电它作为一个源极跟随器。源
跟随CON组fi guration可自振荡的范围
为25kHz至300kHz时的负载电容小于
10μF ，特别是如果从电源布线电感
于V
DD
销大于3μH 。振荡的可能性
LATION会随着负载电流（中电）
增加。有两种方法来防止这种类型的
振荡。最简单的方法是，以避免负载电容
下面10μF 。为比20μH布线电感越大，
最小的负载电容可以延伸到100μF 。第二个
选择连接外部栅极电容C
P
>1.5nF
如图3 。
关断序列
交换机可以通过各种条件来关闭。一
正常的关断是由UV引脚会低于其开始
1.235V阈值。此外，一些故障情况
将关闭的开关。其中包括一个输入过压
4217fc
t1
t2
4217 F02
图2.电源开
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