LTC4354
时序图
V
SS
– V
DX
100mV
–400mV
V
门
t
关闭
2V
4354 TD01
手术
高可用性系统通常采用并联
电源或电池馈电，以实现冗余
并提高系统的可靠性。 ORing二极管已
一个流行在连接这些物资的方式
点到点的负荷。这种方法的缺点是
显著的正向压降和产生的效益
损失。这一下降减少了可用的电源电压和
消耗显著的力量。一个理想的电路会
行为类似于二极管，但没有电压降和
得到的功率耗散。
的LTC4354是负电压的二极管或控制器
驱动两个外部N沟道MOSFET的通晶体管
器，以取代ORing二极管。 MOSFET的连接
同时在源极引脚。共源节点是
连接至V
SS
销它是负电源
该设备。它也被连接到的正输入端
控制门的放大器，调节电压
在整个通晶体管年龄下降。使用N沟道
的MOSFET取代肖特基二极管，降低了功耗
耗散，并且消除了对昂贵的散热片
或大热的布局在高功率应用。
在上电时，初始负载电流流过
MOSFET的体二极管，并返回到与供给
较低端电压。相关门将销
立即开始斜坡上升并打开MOSFET。
放大器试图调节之间的电压降
源极和漏极连接至30mV 。如果负载
电流引起超过30mV的压降，栅极上升
进一步提高了的MOSFET 。最终MOSFET
栅极驱动充分的和的电压降等于
R
DS （ ON）
I
负载
.
当电源电压几乎相等，这
规技术确保了在负载电流
它们之间共享平稳无振动。该
电流水平流过每个通路晶体管取决于
在R
DS （ ON）
MOSFET和输出阻抗的
的用品。
在电源故障的情况下，例如，如果供给了
正进行的大部分或全部的电流被短路到
返回侧，一个大的反向电流开始流过
在MOSFET即上，从任何负载电容和
通过体二极管的另一个MOSFET的，对仲
OND供应。该LTC4354检测到这种故障情况为
一旦它出现和关闭MOSFET在小于
为1μs 。这个快速关断防止反向电流从
斜坡达到破坏性的水平。
在该情况下，导通晶体管完全导通，但
其两端的电压降超过故障阈值时，所述
FAULT引脚变为高阻态。这允许LED或
光耦合器开启指示之一或两者
旁路晶体管都失败了。
该LTC4354是从系统地通过供电
限流电阻。一个内部并联稳压器，
可吸收高达20mA夹在V
CC
销至11V以上的V
SS
.
跨V A 1μF旁路电容
CC
和V
SS
引脚过滤器
供应瞬态和供给交流电流的设备。
4354fc
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