LTC3890
应用信息
效率方面的考虑
的开关稳压器的百分效率等于
输出功率由输入功率乘以100％分。
重要的是要分析单个损耗，以确定是非常有用的
是什么限制了英法fi效率以及改变会
产生了最大的改善。 ％的外汇基金fi效率可以
被表示为：
％ Ef中网络连接效率= 100％ - （L1 + L2 + L3 + ...）
其中， L1，L2等是个别的损失作为百分比
年龄的输入功率。
虽然在电路中产生的所有耗能元件
损失，四个主要来源通常占多数
在LTC3890电路的损失： 1 ） IC V
IN
目前， 2 ） IN-
TV
CC
稳压器电流， 3 ）I
2
损失， 4 ）顶边MOSFET
转换损耗。
1. V
IN
电流是在给定的直流供电电流
电气特性表，其中不包括MOSFET
驱动器和控制电流。 V
IN
目前通常会导致
在一个小的（ <0.1 ％）的损失。
2. INTV
CC
电流MOSFET驱动器的总和与
控制电流。 MOSFET驱动器目前的结果
从开关电源的栅极电容
的MOSFET。每次一个MOSFET的栅极，从切换
低到高再低，充电包，DQ ，移动
从INTV
CC
到地面。所得dQ的/ （dt）是一个电流
出了INTV
CC
这通常比大得多
控制电路的电流。在连续模式下，我
GATECHG
= F （Q
T
+ Q
B
） ，其中Q
T
和Q
B
是的栅极电荷
顶面和底面边MOSFET 。
供应INTV
CC
从输出衍生源动力
通过EXTV
CC
将缩放V
IN
当前需要
通过（占空比）的因子的驱动器和控制电路/
（效率） 。例如，在一个20V至5V应用，
INTV 10mA的
CC
目前的结果大约2.5毫安
V的
IN
电流。这减少了从midcurrent损失
10％或更多（如果驾驶员是直接从供电
V
IN
）到只有几个百分点。
3. I
2
损失由的直流电阻预测
保险丝（如果使用的话） ，MOSFET，电感器，电流检测电阻
器和输入及输出电容器的ESR。在连续
模式中的平均输出电流流过L和
R
SENSE
但上部MOSFET之间斩
与同步MOSFET 。如果两个MOSFET都
大致相同的R-
DS （ ON）
，则电阻
一个MOSFET可以简单地用电阻来概括
升可用距离，R
SENSE
和ESR获得我
2
损失。为
例如，如果每个R
DS （ ON）
= 30mΩ到，R
L
= 50mΩ以下，R
SENSE
=为10mΩ和R
ESR
=两个输入的40MΩ （总和
输出电容损失） ，则总电阻
为130mΩ 。这导致的损失为3％至
13％的输出电流增大，从图1A至5A为
5V输出，或4 ％20 ％的损失为3.3V输出。
效率变化为V的平方成反比
OUT
对于
相同的外部元件和输出功率电平。该
越来越低的输出电压组合效应
和所要求的高性能数字更高的电流
系统不翻倍，但翻两番的重要性
损失方面，在开关稳压器系统！
4.转换损耗仅适用于上部MOSFET （S ）
当在高工作成为唯一显着的
输入电压（典型地15V或更高）。过渡
损耗可以从公式估算：
过渡损耗= （ 1.7 ） V
IN
2 I
O（最大值）
C
RSS
f
其他隐藏的损失，如铜走线和内部
电池的电阻可占5％额外
到10 ％的效率退化的便携式系统。它
是非常重要的，包括这些系统级的损失
在设计阶段。内置电池和保险丝
电阻损耗可以通过确保被最小化
C
IN
有足够的电荷存储和非常低的ESR
开关频率。 25W的电源通常会
需要最小20μF到电容40μF
具有最大20MΩ来ESR为50mΩ 。该
LTC3890 2相体系结构通常半部此输入
电容的要求比竞争对手的解决方案。
其他损失包括体二极管的导通损耗
在死区时间和电感磁芯损耗一般
占小于2 ％的总的附加损耗。
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