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LTC3869/LTC3869-2
应用信息
对于应用程序，主要的输入功率低于5V ，
领带的V
IN
和INTV
CC
引脚连接在一起，并配合组合
引脚的5V输入一个1Ω或2.2Ω电阻，如图
在图7中，以最小化所引起的电压降
栅极充电电流。这将覆盖INTV
CC
线性
调节器，将阻止INTV
CC
掉落太低
由于压差。确保INTV
CC
电压
处于或超过第r
DS （ ON）
测试电压为MOSFET
这通常是4.5V为逻辑电平的设备。
UVLO比较器一直监视INTV
CC
电压
以确保足够的栅极驱动电压。它
锁住了当切换动作INTV
CC
低于3.2V 。
为了防止振荡，当有干扰的
INTV
CC
时， UVLO比较器具有600mV的精度
滞后。
另一种方法来检测欠压条件是
监控V
IN
供应量。因为RUN引脚有
精度接通1.2V的参考，可以用一个电阻
分压器V
IN
打开集成电路当V
IN
是足够高的。
一个额外的4.5μA电流FL OWS出来的RUN引脚的一次
在RUN引脚电压1.2V传递。一个可以编程
运行比较器通过调整这些值，迟滞
的电阻分压器。为了精确V
IN
欠压
检测，V
IN
需要比4.5V高。
C
IN
和C
OUT
选择
C的选择
IN
由2相简化architec-
自命其在最坏情况下的冲击电流有效值画
通过输入网络（电池/保险丝/电容） 。它可以是
该电容器RMS电流的最坏情况发生时显示
当只有一个控制器运行。与控制器
最高（Ⅴ
OUT
)(I
OUT
）产品需要在使用
下面的公式来确定最大RMS电容器
电流要求。增加绘制的输出电流
从另一个控制器将实际减少输入
RMS纹波从它的最大值的电流。该出OF-
相技术通常会降低输入电容的有效值
由30 ％至70％的因子相比纹波电流
至单相电源的解决方案。
在连续模式中，高端MOSFET的源极电流
为方波的占空比（Ⅴ
OUT
)/(V
IN
） 。为了防止
大的瞬态电压，低ESR电容的大小为
最大RMS电流一个信道必须被使用。该
最大RMS电容器的电流由下式给出：
C
IN
需要我
RMS
≈
I
最大
1/ 2
(
V
OUT
) (
V
IN
– V
OUT
)
V
IN
LTC3869
V
IN
CINTV
CC
4.7F
INTV
CC
R
VIN
1
5V
+
C
IN
3869 F07
图7.设置为5V输入
顶边MOSFET驱动器电源（C
B
，分贝）
外部自举电容
B
连接到升压
引脚提供栅极驱动电压为上部的MOSFET。
电容C
B
在功能图，虽然充电
从INTV外部二极管DB
CC
当SW引脚为低电平。
当顶侧的MOSFET中的一个将被导通，
司机放置了C
B
跨越栅源电压
的所需的MOSFET 。这增强了MOSFET和
打开上部开关。开关节点电压，SW，
上升到V
IN
和BOOST引脚如下。与上部
MOSFET的导通，升压电压高于输入电压：
V
BOOST
= V
IN
+ V
INTVCC
。升压电容器的值
C
B
需要是100倍的总输入的capa-
citance上部MOSFET （S ）的。相反的突破性
外部肖特基二极管的下降必须大于
V
IN （MAX）
。确保二极管是低泄漏二极管连
在热的温度，以防止漏电流馈送
INTV
CC
。当调整栅极驱动电平，最终仲裁者
是总输入电流的调节器。如果一个变化是
取得和输入电流减小，则效率
有所改善。如果在输入电流没有变化，则
还有在英法fi效率没有变化。
欠压锁定
该LTC3869具有两种功能，可帮助保护
控制器的情况下欠压条件。精密
该式具有最大值在V
IN
= 2V
OUT
，在那里我
RMS
=
I
OUT
/ 2 。这个简单的最坏情况是常用的
对于设计，因为即使是显著的偏差不以下项目的
FER多少缓解。需要注意的是电容制造商的纹波
额定电流往往是基于只有两千小时的寿命。
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