LTC3729
手术
主控制回路
的LTC3729采用恒定频率，电流模式
降压架构。在正常操作期间，该
高端MOSFET导通每个周期当振荡器
对RS锁存器，并关闭时，主电流
比较， I1 ，复位RS锁存器。峰值电感
目前，在这I1复位锁存器由控制RS
在I上的电压
TH
销，这是错误的输出
放大器EA 。差动放大器，A 1，产生一个
信号等于该差分电压两端感测到的
输出电容，但再引用它的内部信号
地（ SGND ）参考。该EAIN引脚接收部分
在DIFFOUT销是该电压反馈信号的
相比于通过EA的内部参考电压。当
负载电流的增加，它会导致在略有下降
在EAIN引脚电压相对于0.8V基准，这
又使我
TH
电压增加，直到平均
电感器电流相匹配的新的负载电流。后
高端MOSFET已关断时，下面的MOSFET导通
在该期间的其余部分。
高端MOSFET驱动器是由浮动自举偏置
电容C
B
，通常在每个被充电
断周期通过一个外部肖特基二极管。当V
IN
减小到电压接近V
OUT
然而，在循环
可能进入压差，并尝试打开高端MOSFET
不断。压差检测器检测到这种情况，
迫使高端MOSFET关闭约400ns的每
第10次循环充电的自举电容。
主控制回路关闭拉引脚1
（ RUN / SS）较低。释放RUN / SS允许内部1.2μA
电流源软启动电容器C充电
SS
。当
C
SS
达到1.5V时，主控制回路被启动以
I
TH
电压钳位在其最大的约30％的
值。为C
SS
继续充电，我
TH
正在逐步释放
允许恢复正常操作。当RUN / SS
引脚为低电平时，所有LTC3729功能关闭。如果V
OUT
还没有达到其标称值的70 ％ 。当C
SS
有
充电至4.1V ，过电流闭锁可被调用
在应用信息部分中描述。
（参见原理图）
低电流工作模式
的LTC3729工作在一个连续的， PWM控制模式。
在低输出电流所产生的操作优化
在巨大的负面牺牲瞬态响应
期间的后半部的电感电流。水平
的脉动电流由电感值，输入确定
电压，输出电压和工作频率。
频率同步
该锁相环可以将内部振荡器为
同步通过PLLIN引脚的外部来源。该
在PLLFLTR销的相位检测器的输出也是
并工作在振荡器的直流频率控制输入
一个250kHz至550kHz的范围对应于一个直流电压
输入从0V到2.4V 。当锁定时，PLL对齐之交
在上面的MOSFET到同步的上升沿
信号。当PLLIN处于打开状态时， PLLFLTR引脚变为低电平，
迫使振荡器的最小频率。
内部主振荡器工作频率12
次，每个控制器的频率。该PHASMD
销确定的内部之间的相对相位
控制器以及CLKOUT信号，如图
表1列的相位是相对于零相位
被定义为顶栅的上升沿（ TG1 ）
控制器1的驱动器输出。
表1中。
V
PHASMD
控制器2
CLKOUT
GND
180°
60°
开放
180°
90°
INTV
CC
240°
120°
CLKOUT信号可以用于同步的附加
在多相电源解决方案馈电阶段
一个单一的，大电流输出或单独输出。输入
电容ESR的要求和效率损失
大大减少，因为峰值电流从吸入
输入电容是由数有效地划分
的使用，并且相功率损耗正比于
RMS电流的平方。两阶段，单输出电压
实现可以减少75％的输入路径的功率损耗
并从根本上减少所需的RMS电流额定值
输入电容（多个） 。
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