LTC3630
应用信息
R
SW
与R
L
并通过的平方乘以结果
平均输出电流：
I
2
损耗= I
O2
(R
SW
+ R
L
)
其他损失，包括C
IN
和C
OUT
ESR耗散
损耗和电感磁芯损耗，一般占
比的总功率损耗的2％以下。
散热注意事项
在大多数应用中， LTC3630不消耗太多
热，由于其高效率。但是，在应用中
的LTC3630是在环境温度高与运行
低电源电压和高占空因数，例如脱落，
散发的热量可能超过最大结
温度的部分。
以防止LTC3630超过最大
结温度时，用户将需要做一些热
分析。热分析的目的是确定
无论是耗散功率超过最大junc-
该部分的灰温度。从升温
环境温度到结由下式给出：
T
R
= P
D
θ
JA
其中，P
D
是功率消耗的调节器和
θ
JA
是从模具的交界处的热阻
环境温度。
结温度由下式给出：
T
J
= T
A
+ T
R
一般情况下，最坏情况下的功耗处于辍学
在低输入电压。在退学时， LTC3630可提供
直流电流高达本充分1.2A峰值电流的
输出。在低输入电压时，电流会流过一个
高抗阻MOSFET ，它消耗更多的功率。
作为一个例子，考虑辍学了LTC3630在输入
5V， 500毫安和周围的负载电流的电压
温度为85℃ 。从典型性能曲线图
开关导通电阻，则R的
DS （ ON）
顶部开关
在V
IN
= 5V和100℃下大约为1.9Ω 。因此，
由器件所消耗的功率是：
P
D
= (I
负载
)
2
R
DS （ ON）
= （ 500毫安）
2
1.9Ω = 0.475W
对于MSOP封装
θ
JA
45 ° C / W 。因此， junc-
稳压化温度为：
45°C
=
106.4°C
W
这是下面的最高结温
150°C.
T
J
=
85°C
+
0.475W
注意，虽然LTC3630是在压差，它可以提供
输出电流等于该部分的峰值电流。
这样可以提高芯片的功耗显着地
并可能导致内部过热保护
电路来触发在180℃ ，然后关闭LTC3630 。
设计实例
作为一个设计实例，考虑使用LTC3630在
应用程序具有以下特定网络阳离子： V
IN
= 24V,
V
IN （MAX）
= 70V, V
OUT
= 3.3V ，我
OUT
= 500毫安， F = 200kHz的。
而且，假定对于本例中的开关
何时应该开始V
IN
大于12V 。
首先，计算出电感值，让所需要的
开关频率：
3.3V
3.3V
L
=
1–
10μH
为200kHz 1.2A
24V
接下来，验证该值符合第l
民
要求。
该输入电压与峰值电流的最小
电感值是：
L
民
=
24V 为150ns
3μH
1.2A
因此，最小的电感满足基准
并且可以使用的10μH电感值。
接下来，C
IN
和C
OUT
被选中。对于这样的设计，C
IN
应
定尺寸为至少一个电流额定值：
I
RMS
=
500毫安Ω
3.3V
24V
– 1
175mA
RMS
24V
3.3V
3630fb
18
