LT3742
应用信息
(Q
G
） 。几个简单的准则将作出选择
过程更容易。
最大漏极电流必须比更高
最大额定电流，I
评级
计算比上
页。注意，我
D
规范主要是温度
相关的（我下
D
在较高的环境温度下），所以
大多数数据表提供了我一个图形或表格
D
与
温度显示此。
确保在V
DS
击穿电压大于所述
最大输入电压，并且在V
GS
击穿电压
为8V或更高。对每个峰 - 峰值栅极驱动器
MOSFET是 7V ，因此也保证了设备的选择将
被带V全面增强
GS
的7V 。这可能会妨碍
一些使用MOSFET的用20V V
GS
评级，因为一些有
过高的阈值电压。一个好的经验法则是，
的最大阈值电压应为V
GS （ TH ） （ MAX ）
≤
3V 。 4.5V的MOSFET会正常工作。
在N沟道MOSFET的功率损耗来自两
主要来源：所述的导通电阻，R
DS （ ON）
和反向
传输电容，C
RSS
。导通电阻的原因
欧姆损耗（我
2
R
DS （ ON）
）通常占主导地位，在
下面的输入电压 15V 。反向传输电容
tance导致转换损耗通常占主导地位
输入电压高于15V 。在较高的输入电压，
转换损耗迅速增加的点，使用
较高的R
DS （ ON）
器件具有较低的
RSS
必竟是
0.7
0.6
MOSFET的损耗（ W）
0.5
0.4
0.3
过渡
0.2
0.1
0
0
5
MOSFET的损耗（ W）
总计=
欧姆+过渡
提供更高的效率。在MOSFET的功率损耗
可以近似由：
P
损失
=
(
欧姆损耗
)
+
(
过渡损失
)
V
OUT
+
V
D
2
P
损失
≈
V
+
V ·I
OUT
R
DS （ ON）
ρ
T
D
IN
(
2 V
IN2
I
OUT
C
RSS
f
)
其中，f是开关频率（500kHz ）和
ρ
T
是
归一化项以考虑导通电阻的变化
由于温度。对于一个最大环境温度
70 ℃下，使用
ρ
T
≈ 1.3是一个合理的选择。
权衡在研发
DS （ ON）
和C
RSS
可以以很容易地看到
例如，使用真正的MOSFET值。要生成3.3V ，
3A （ 10W ）的输出，考虑两个典型的N沟道功率
的MOSFET ，两个额定功率为V
DS
= 30V ，并在这两个可用
同样的SO- 8封装，但其在 5倍的差异
导通电阻和反向传输电容：
M1 ：我
D
= 11.5A ，V
GS
= 12V ，R
DS （ ON）
=为10mΩ ，C
RSS
= 230pF
M2 ：我
D
= 6.5A ，V
GS
= 20V ，R
DS （ ON）
= 50mΩ以下，C
RSS
= 45pF
功率损耗计算两个器件在宽输入
电压范围（ 4V ≤ V
IN
≤ 30V ） ，并且在图6中示出（如
在10W的总功率的百分比） 。注意，虽然
低R
DS （ ON）
器件的功率损耗为5×下在低输入
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
欧姆
过渡
总计=
欧姆+过渡
欧姆
20
15
10
输入电压（ V）
25
30
3742 F06A
0
0
5
20
15
10
输入电压（ V）
25
30
3742 F06b
图6a 。功率损耗示例M1 （为10mΩ ， 230pF ）
图6b 。功率损耗示例M2（ 50M， 45pF ）
3742fa
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