LT4363
应用信息
V
IN
12V
D1*
SMAJ58CA
R7
10k
Q2
SI7461DP
Q1
IRLR2908
D2
1N5245
15V
C1
47nF
R
SNS
10m
R3
10
V
OUT
12V ， 3A
夹
在16V
R1
57.6k
3
SNS
2
OUT
FB
C2
0.1F
R2
4.99k
LT4363DE-2
6
8
7
SHDN
UV
OV
GND
9
* DIODES INC 。
TMR
12
C
TMR
0.1F
ENOUT
FLT
4363 F07
V
IN
R7
1k
Q1
FDB33N25
C1
47nF
R
SNS
10m
C
L
**
22F
V
OUT
R3
10
5
4
门
V
CC
1
3
4
V
CC
GATE SNS
5
2
OUT
FB
R1
100k
1
R2
4.99k
D1*
SMAJ58A
R4
374k
6
SHDN
LT4363DE-2
V
CC
直流/直流
变流器
ENOUT
11
10
SHDN
故障
GND
11
10
8
R5
90.9k
R6
10k
UV
7
OV
GND
9
TMR
12
FLT
4363 F08
C
TMR
47nF
* DIODES INC 。
**三洋25CE22GA
图7.过电压稳压器， P沟道MOSFET
反向输入保护
图8.过压保护稳压输入电压检测
关闭
的LT4363可以被关闭以低电流模式时
在电压
SHDN
引脚被拉低关机下方
门槛0.4V的。静态电流下降到
7μA与内部电路关断。
该
SHDN
销可拉至100V或以下GND通过
高达60V的电压而不损坏。离开引脚开路允许
一个内部电流源把它拉起来，然后打开部分
同时夹紧销到2.2V 。在漏电流
针应限制在不大于1μA更多的，如果没有上拉
设备被用于帮助其打开。
供应瞬态保护
LT4363的测试运行，以80V和保证
从伤害高达100V的安全。尽管如此，电压
瞬态100V以上可能会造成永久性的损害。
在短路条件下，大的改变电流
租流经电源走线和相关
接线会造成感应电压瞬变可能
超过100V 。以减小电压瞬变，所述功率
跟踪寄生电感应使用被最小化
宽的痕迹。一个小的RC滤波器，如图8 ，在V
CC
针
将钳位电压尖峰。
另一种方式来限制瞬态100V以上的V
CC
销是使用一个齐纳二极管和一个电阻， D1和R 7中
图8.该齐纳二极管在销限制了电压
而电阻限制了电流通过二极管来
浪涌期间安全水平。然而， D1可以被省略
如果滤波后的电压，由于R7和C1中，在V
CC
针
低于100V 。列入R7的串联与V
CC
销会增加在V所需的最小电压
IN
应有
到其两端的额外的压降。这个电压降是
由于LT4363和泄漏的电源电流
当前D1的。
至少22μF的低ESR电 - 的总容量电容
裂解需要靠近MOSFET Q1的源极引脚。在
此外，大容量电容应至少为10倍
比对总的陶瓷旁路电容较大
在DC / DC转换器的输入端。
布局的注意事项
为了实现精确的电流检测， Kelvin连接
至电流检测电阻（R
SNS
在图8）是中建议
谁料。最小迹线宽度为1盎司铜箔
0.02"每安培，以确保跟踪保持在一个合理
温度。 0.03"每安培或更广泛的建议。
需要注意的是1盎司镀铜展品约一薄层电阻
530μΩ /平方米。小电阻会导致较大的误差
4363fa
16
