LT4363
手术
有些电源系统必须应对高电压浪涌
的短的持续时间，例如在车辆。负载电路
必须防止这些瞬变，但高可用性
系统必须继续在这些事件中运行。
该LT4363是一个过压保护稳压器
驱动外部N沟道MOSFET作为晶体管通
器。它在4V至宽电源电压范围
80V 。它也可以通过向上拉至低于地电势
至60V无损坏。低电源要求一
4V换货允许它在冷启动操作，即使
条件在汽车应用。的内部充
泵导通的N沟道MOSFET ，以提供电流
用非常小的功率损失的负荷。两个MOSFET可
可背靠背连接，以取代内联肖特基
二极管的反向输入保护。这改善了EF -
FICIENCY并增加了可用的电源电压电平
要在冷车发动负载电路。
一般情况下，导通晶体管完全导通，负载电
用很少的电压降。当电源电压浪涌
过高时，电压放大器（VA ）控制的栅极
MOSFET和调节OUT引脚的电压电平
是受来自OUT的外部电阻分压器设定
引脚接地和内部1.275V参考。电流
源开始连接在电容器充电过程
TMR引脚接地。如果TMR电压达到1.275V ，
该
FLT
引脚拉低，表示即将发生的关断时，由于
在过压状态。通过晶体管岿然不动
直到TMR达到1.375V ，此时GATE引脚
拉低关断MOSFET 。
电流继续，直到达到拉TMR引脚最多
约4.3V ，在该点的电流反向
和拉TMR引脚下来。对于LT4363-2版本，
当在TMR引脚上的电压达到0.5V的门
脚开始上升，接通MOSFET 。该
FLT
销会
然后返回到一个高阻抗状态。为闭锁
版本， LT4363-1 ，既在GATE和
FLT
引脚保持
即使在低的TMR已达到0.5V的阈值。允许
足够的时间TMR放电到0.5V ，并为
MOSFET在尝试重置部分之前冷却。对
复位，拉
SHDN
引脚低电平至少为100μs ，然后拉
高具有至少10V / μs的压摆率。
故障定时器允许负载继续工作
在很短的瞬态事件，同时保护MOSFET
而损坏的电源过压期长，
如负载突降的车辆。定时器周期变化
与MOSFET两端的电压。较高的电压cor-
响应，在较短的故障计时器周期，从而有助于保持
其安全工作区（ SOA）中的场效应晶体管。
LT4363在检测到过电流状态通过监视
荷兰国际集团的两端的电压可选检测电阻上
之间的SNS和OUT引脚。积极的电流限制
电路（ IA ）控制GATE引脚，以限制电压感
年龄为50mV ，若OUT端子电位高于2V 。在
情况严重的输出短路，带出2V以下的，
所述伺服读出电压降低到25mV的减少
在传输晶体管的应力。在目前的限制，
电流充电在TMR电容器为约5倍
在过压情况时的电流。该
FLT
引脚拉低
当在TMR电压达到1.275V和MOSFET
被关断时，它达到1.375V 。 MOSFET关
背面上与所述
FLT
销返回到一个高阻抗状态
后TMR已经达到了LT4363-2的0.5V阈值
版本。为闭锁版本， LT4363-1 ，既在GATE
和
FLT
引脚保持低电平，甚至在TMR已经达到
在0.5V阈值。重置部分中相同的方式在
过压超时情况。
准确的欠压比较器保持GATE
引脚为低电平，直到在UV引脚的电压高于
1.275V阈值。过压比较器阻止
从后故障超时，同时接通MOSFET
在OV引脚上的电压仍高于1.275V的
LT4363-2 。该
SHDN
销关闭旁路晶体管
和所有内部电路，降低了电源电流
以区区7μA 。
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