LT4363
应用信息
（SOA）中，MOSFET的固有属性。 SOA quanti-
外商投资企业需要在V中的任何给定的条件时
DS
和
I
D
要提高MOSFET的结温到其
额定最大。 MOSFET SOA中的表示单位
瓦平方秒（P
2
T） 。这个数字基本上是CON-
常数为间隔小于100ms对于任何给定的设备
型，并在DC操作条件上升到无穷大。
比体模温等破坏机制
扭曲的精确绘制的SOA图，使得所述线
P
2
t是不相同的我的所有组合
D
和V
DS
.
特别是P
2
吨倾向于降低为V
DS
接近
最大额定值，使一些设备没用
吸收高于一定电压的能量。
当快速的输入电压步骤发生时，电流通过
传输晶体管为负载供电，并收取上出
放电容器可以是足够高以触发过电流
事件。栅极拉低到1V以上OUT引脚，把
断MOSFET瞬间。内部电荷泵
然后开始拉GATE引脚为高电平，打开
的MOSFET ，以支持负载电流和充电的
OUT引脚。故障定时器可能尚未开始，因为
当前电平低于过电流限制阈值和
的输出电压未达到伺服电压。这
额外的压力需要被包括在计算整个
MOSFET的应力水平。
计算瞬时压力
要选择合适的MOSFET对于任何给定的应用中，
SOA强调必须计算每个输入瞬态
但不得中断操作。它是那么简单的事
要选择有足够的SOA生存的设备
最大计算应力。 P
2
吨为原型的瞬态
波形的计算方法如下（图4） ：
V
PK
τ
LET
A = V
REG
– V
IN
B = V
PK
– V
IN
(V
IN
=额定输入电压）
然后
P
2
吨 - 我
LOAD2
1
(
B - 一
)
3
1
2
b
2
2
+ τ
2A LN
+
3a
+b
4ab
t
r
b
2
a
3
典型的V
REG
≈ V
IN
和
τ
t
r
简化以上
1
2
P
2
t
=
I
LOAD2
(
V
PK
– V
REG
)
τ
2
[W
2
s]
对于V的瞬态条件
PK
= 80V, V
IN
= 12V,
V
REG
= 16V ，T
r
= 10μs的和
τ
= 1毫秒，以及负载电流
图3A ， P的
2
t为18.4W
2
秒 - 很容易通过在MOSFET处理
一个DPAK封装。在P
2
其他瞬态波形，吨
通过集成的MOSFET功率的平方评价
随着时间的推移。的LTspice可以用来模拟计时器行为
对于更复杂的瞬态和情况下的过压
和过流故障并存。
计算短路应力
SOA的应力，还必须计算短路条件
系统蒸发散。短路P
2
吨由下式给出：
ΔV
P吨
= ΔV
DS
SNS
t
TMR
[W
2
s]
R
2
SNS
2
其中， “V
DS
是MOSFET两端的电压，而ΔV
SNS
是SNS引脚阈值，而t
TMR
是过电流定时器
间隔。
对于V
IN
= 15V, V
DS
= 13V (V
OUT
= 2V), V
SNS
= 50mV的，
,
R
SNS
= 12mΩ和C
TMR
= 100nF的P
2
t为6.3W
2
秒 - 少
比以前的例子中计算出的瞬时的SOA。
然而，考虑到电路的公差该图
应增加一倍至12.6W
2
s.
V
REG
V
IN
t
r
4363 F04
图4.外汇局要求的工作区生存原型
瞬态波形
4363fa
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